單元:場效電晶體
平時測驗
場效電晶體
1. 下列那一種元件是單靠一種載子來傳送電流? (A)FET (B)雙極性電晶體 (C)二極體 (D)SCR。
2. N通道增強型MOSFET欲使之導通,則閘極源極間電壓(VGS)應加何種偏壓? (A)0V (B)負電壓 (C)小於臨界電壓(VT)之正電壓 (D)大於臨界電壓(VT)之正電壓。
3. 相較於雙極性接面電晶體(BJT),下列有關金氧半場效電晶體(MOSFET)特性之描述,何者為非? (A)熱穩定性較佳 (B)增益頻寬乘積(Gain-Bandwidth pro-duct)較小 (C)操作速率較快 (D)高輸入阻抗 (E)製程複雜度較低,適積體電路製造。
4. 有關MOSFET之敘述,下列何者錯誤?(VGS為閘極至源極之電壓) (A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在 (B)空乏型n通道MOSFET其VGS可接負電壓或正電壓 (C)增強型p通道MOSFET其VGS若接正電壓,則無法建立通道 (D)增強型n通道MOS-FET之臨界電壓(VT)值為正 (E)增強型MOSFET適用於超大型積體電路(VLSI)中。
5.

圖(8)所示之n通道JFET電路,已知JFET之IDSS=4mA,Vp=-4V,使此JFET工作於飽和區(Saturation Region),且其汲極電流ID=1mA,則RS應為: (A)1kΩ (B)2kΩ (C)3kΩ (D)4kΩ (E)5kΩ。

6. 金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor FET)是以何種效應控制汲源極間(drain-source)電流: (A)磁場 (B)電場 (C)光電 (D)電流 (E)崩潰效應。
7. 關於增強型MOSFET的共源極放大電路工作時(Active),下列敘述何者正確? (A)若為n通道,則VGS應為負值 (B)若為p通道,則VGS應為正值 (C)|VGS|愈大,iD愈小 (D)不能工作於VGS=0V的情況 (E)以上皆非。
8.

如圖(14)所示n通道增強型MOSFET偏壓電路,其閘極至源極的電壓VGS=? (A)9.6V (B)14.4V (C)0V (D)12V (E)8V。

9. P通道場效電晶體(FET)之電荷載子為 (A)電子 (B)主載子為電洞、副載子為電子 (C)主載子為電子、副載子為電洞 (D)電洞。
10. 場效電晶體(FET)是利用 (A)磁場 (B)電場 (C)電磁場 (D)壓電之效應控制電流的元件。
11. 下列有關於MOSFET之敘述,何者有誤? (A)MOSFET之閘極與源極問的直流電阻接近無窮大 (B)增長型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同 (C)MOSFET之閘極與通道(channel)間一般是隔著二氧化矽(SiO2) (D)與增長型比較,空乏型在製造上多了離子佈植(ionimplantation)的手續。
12. 有關MOSFET下列何者為非 ? (A)輸入阻抗極低,有極高扇出數 (B)積體電路所佔體積小 (C)"O"是指二氧化矽層 (D)可作雙向對稱開關。
13. n通道加強型MOSFET的閘-源電壓VGS應如何才能使洩極電流ID導通 (A)VGS>0,VGS<VT (B)VGS>O,VGS>VT (C)VGS<0,VGS<VT (D)VGS<O,VGS>VT。 (註:VT是臨界電壓)
14. 續上題,臨界電壓VT大小主要由何者決定? (A)金屬導電層厚度 (B)二氧化矽層厚度 (C)半導體層厚度 (D)以上皆非。
15. 目前使用中的大型積體電路(LSI)以互補式金氧半(CMOS)場效電晶體為最多,其最主要是因為 (A)製造容易,價格低廉 (B)其對雜訊免除性佳 (C)其消耗功率極小 (D)其交換速率快。